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三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片:6400MHz、首次采用EUV工艺


今日(8月30日),三星电子宣布,其位于韩国平泽市的第二代产线,已经开始大规模量产业内首批16Gb(2GB)容量的LPDD5内存芯片,并导入EUV极紫外光刻工艺

芯片基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造,16Gb也达成了业内最高容量和最佳性能。

据悉,该LPDDR5内存芯片的带宽速度为6400Mbps(等价6400MHz),比现款12Gb LPDDR5-5500快了16%。在16GB的总容量下,允许一秒内传输10部5GB高清电影(51.2GB)。

三星还表示,得益于先进的1z nm EUV工艺,单芯片比上代薄了30%。从封装上讲,10片就能凑成16GB容量,上一代1ynm则需要12片(单芯片12Gb)。如此以来节省的空间可以为5G手机创造更大的可能,比如更强的AP处理器、更大的电池、更充沛的天线布局等。

按照三星的预估,第一批搭载自家1z nm 16GB LPDDR5封装内存的旗舰机将在2021年批量上市,恐怕明年初的Galaxy S21/30上就能见到了。

三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片:6400MHz、首次采用EUV工艺

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